2022/12/02
NB7140/NB7141シリーズは、1セルのLiイオン/Liポリマー2次電池の過充電、過放電、充放電過電流、短絡保護に加え、システムリセット機能を内蔵した保護ICです。
STB端子への信号入力により強制的にスタンバイモードへ移行し、消費電流を低減することが可能です。
1セルのLiイオン/Liポリマー2次電池の過充電、過放電、充放電過電流、短絡保護に加え、システムリセット機能を内蔵した保護ICです。STB端子への信号入力により強制的にスタンバイモードへ移行し、消費電流を低減することが可能です。
NB7140シリーズ MCUの暴走時にRST端子で充電FET/放電FETをOFFにすることで、システムリセットが可能です。
NB7141シリーズ 内蔵しているウォッチドッグタイマにより、MCUの動作状態を監視することができます。
＜特長＞
NB7140シリーズ(データシート：https://www.nisshinbo-microdevices.co.jp/en/pdf/datasheet/nb7140-ea.pdf)
低消費電流: 通常動作時: Typ. 1.5μA / Max. 3.00uA
強制スタンバイ時: Max. 0.04μA
スタンバイ時: Max. 0.20μA(VDET2:自動復帰版)
スタンバイ時: Max. 0.04μA (VDET2:ラッチ1/2版)
過充電検出電圧(VDET1) :設定範囲4.2V～4.7V 精度±15mV
過放電検出電圧(VDET2) :設定範囲2.1V～3.2V 精度±35mV
放電過電流検出電圧1(VDET31):設定範囲0.0050V～0.0300V精度±1.0mV、設定範囲0.0305V～0.0500V精度±1.5mV
放電過電流検出電圧2(VDET32):設定範囲0.0110V～0.0600V精度±2mV、設定範囲0.0605V～0.1000V精度±4%
充電過電流検出電圧(VDET4) :設定範囲-0.0050V～-0.0300V精度±1.0mV、設定範囲-0.0305V～-0.0500V精度±1.5mV
短絡検出電圧(Vshort) :設定範囲0.030V～0.120V精度±4.0mV、設定範囲0.121V～0.200V精度±5.0mV
0V充電機能:可能/禁止選択可能
0V充電禁止電圧(Vnochg) :設定範囲1.000V～2.500V精度±4.0%
過充電復帰条件選択可能:自動復帰/ラッチ
過放電復帰条件選択可能:自動復帰/ラッチ1/ラッチ2
放電過電流復帰条件選択可能:自動復帰1(V-=VDDx0.8V) /自動復帰2(V- = -0.070V) /ラッチ(充電器接続復帰)
放電過電流検出電圧2(VDET32):有無選択可能
リセット信号検出方式:1段階検出/ 2段階検出選択可能
リセット復帰条件:自動復帰/ V-電圧選択可能
NB7141シリーズ(データシート：https://www.nisshinbo-microdevices.co.jp/en/pdf/datasheet/nb7141-ea.pdf)
低消費電流: 通常動作時: Typ. 2.00μA / Max. 4.00uA
強制スタンバイ時: Max. 0.04μA
スタンバイ時: Max. 0.20μA(VDET2:自動復帰版)
スタンバイ時: Max. 0.04μA (VDET2:ラッチ版)
過充電検出電圧(VDET1) : 設定範囲4.2V～4.7V 精度±15mV
過放電検出電圧(VDET2) : 設定範囲2.1V～3.2V 精度±35mV
放電過電流検出電圧1(VDET31): 設定範囲0.0050V～0.0300V精度±1.0mV、設定範囲0.0305V～0.0500V精度±1.5mV
放電過電流検出電圧2(VDET32): 設定範囲0.0110V～0.0600V精度±2mV、設定範囲0.0605V～0.1000V精度±4%
充電過電流検出電圧(VDET4) : 設定範囲-0.0050V～-0.0300V精度±1.0mV、設定範囲-0.0305V～-0.0500V精度±1.5mV
短絡検出電圧(Vshort) : 設定範囲0.030V～0.120V精度±4.0mV、設定範囲0.121V～0.200V精度±5.0mV
0V充電機能:可能/禁止選択可能
0V充電禁止電圧(Vnochg) : 設定範囲1.000V～2.500V精度±4.0%
過充電復帰条件選択可能:自動復帰/ラッチ
過放電復帰条件選択可能:自動復帰/ラッチ
放電過電流復帰条件選択可能: 自動復帰1(V-=VDDx0.8V) /自動復帰2(V- = -0.070V) /ラッチ(充電器接続復帰)
放電過電流検出電圧2(VDET32): 有無選択可能
WDT解除条件: 自動復帰/ V-電圧選択可能