低オン抵抗、高速スイッチング パワーデバイスNch MOSFETラインナップ拡充 XPJ101N04N8R、XPJ102N09N8R

トレックス・セミコンダクター株式会社は、パワーデバイスの新シリーズとして、パワーMOSFET  XPJ101N04N8RとXPJ102N09N8Rを開発しました。

近年、産業機器や自動車関連機器において、低消費電力化、小型化、高効率化への要求が高まっています。このような市場ニーズに応えるべく、トレックスではMOSFET技術の強化を進めてまいりました。特に産業機器やデータセンター、サーバー向けで使われる48V系DCモーターをターゲットに、耐圧100Vに対応した設計を採用し、高い性能とコストパフォーマンスを両立させた製品となっています。

XPJ101N04N8Rは最大4.4mΩ、XPJ102N09N8Rは最大9.4mΩと、低オン抵抗を実現しています。これにより、エネルギー損失を抑え、システム全体の効率向上に寄与します。優れたFOM（Figure of Merit）を持ち、高速スイッチング特性を必要とするアプリケーションに最適です。DCモーター、スイッチング回路等、様々なアプリケーションに使用可能です。

パッケージは DFN5060-8L（6.0 x 4.9 x h1.1mm）を採用し、機器の小型化に貢献します。また、EU RoHS 指令、Pb フリー対応で環境に配慮した製品です。